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叶建东: 超宽禁带氧化镓半导体材料与器件

时间:2022-08-10来源:微电子学院

报告时间:2022年8月11日(星期四)14:30-17:30

报告平台:腾讯会议  ID:996 612 225

:叶建东 教授

工作单位:南京大学

举办单位:微电子学院

报告简介

氧化镓(Ga2O3)作为一种新兴的超宽禁带半导体,是先进电力电子器件和日盲探测器件的优选材料。当前亟需发展高品质氧化镓外延和可控掺杂等关键技术,以便充分验证Ga2O3在电力电子器件和多功能光电器件领域的应用潜能。针对Ga2O3的多晶型特征,实现调控物相并抑制杂也是Ga2O3外延的关键问题之一。此外,Ga2O3的p型掺杂困难,无法实现双极型器件,因此构筑Ga2O3异质结构成为丰富Ga2O3器件设计和提升器件性能的重要途径。通过此次讲座,将围绕上述超宽禁带半导体Ga2O3面临的关键问题,介绍南京大学团队近年来在氧化镓材料外延、异质界面输运、日盲探测器和功率器件方面的研究进展。

报告人简介

叶建东,南京大学电子科学与工程学院教授。2002年和2006年分别获南京大学理学学士和工学博士学位。2006年-2010年在新加坡科技发展局(A*STAR)微电子研究院工作,任职Senior Research Engineer;2010年-2011年在澳大利亚国立大学任职Queen Elizabeth II Fellow。2011年任南京大学电子科学与工程学院教授,南京大学紫金学者。2013年获得国家优秀青年基金和江苏省杰出青年基金资助,2014年获得江苏省第十一批“六大高峰人才”培养计划A类资助。近年主要从事氧化物半导体光电子材料与信息功能器件的研究。先后主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金、江苏省重点研发计划项目等。近五年在IEEE TED/EDL/TPE、APL、Appl. Phys. Rev.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano等期刊上发表论文62篇,英文综述3篇,专著1章。多次在美国材料学会会议 (MRS)等重要国际学术会议上作邀请报告。

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